FDC610PZ 与 DMP3050LVT-7 区别
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规格信息
型号	FDC610PZ	DMP3050LVT-7
唯样编号	A3t-FDC610PZ	A-DMP3050LVT-7
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6	DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表		DMP3050LVT-7.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	1.6W(Ta)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	42 毫欧 @ 4.9A,10V	50mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	1.6W(Ta)	1.8W(Ta)
栅极电压Vgs	±25V	±25V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	SOT-23-6 细型,TSOT-23-6	TSOT-26
连续漏极电流Id	4.9A	4.5A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	PowerTrench®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1005pF @ 15V	620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	24nC @ 10V	10.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1005pF @ 15V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	24nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDC610PZ	ON Semiconductor		通用MOSFET	4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6	暂无价格	当前型号
RSQ035P03TR	ROHM Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)	暂无价格	对比
DMP3050LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A	暂无价格	对比
DMP3050LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A	暂无价格	对比
DMP3065LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET		暂无价格	对比
DMP3065LVT-7	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET		暂无价格	对比