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FDC602PNL  与  SI3493BDV-T1-GE3  区别

型号 FDC602PNL SI3493BDV-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDC602PNL A3t-SI3493BDV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 SI3493BDV Series 20 V 0.0275 O Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSOT-23-6
连续漏极电流Id - 8A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27.5 mOhms @ 7A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.08W(Ta),2.97W(Tc)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 900mV @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC602PNL ON Semiconductor 未分类

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SI3493BDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8A(Tc) P-Channel 27.5 mOhms @ 7A,4.5V 2.08W(Ta),2.97W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V

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