FDB8030L 与 SUM90N04-3M3P-E3 区别
| 型号 | FDB8030L | SUM90N04-3M3P-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDB8030L | A-SUM90N04-3M3P-E3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30V 3.5 mohm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet TO-263AB | Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK) |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 187W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5 毫欧 @ 80A,10V | 2.7mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 2.5V |
| Pd-功率耗散(Max) | 187W(Tc) | 3.1W(Ta),125W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-252 |
| 工作温度 | -65°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 80A(Ta) | 90A |
| 系列 | PowerTrench® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 10500pF @ 15V | 5286pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 5V | 131nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 10500pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB8030L | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
187W(Tc) 3.5m Ohms@80A,10V -65°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 80A N-Channel 30V 80A(Ta) ±20V 3.5 毫欧 @ 80A,10V -65°C~175°C(TJ) TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V |
暂无价格 | 5 | 对比 |
|
|
SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-252 N-Channel 90A 2.7mΩ 2.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
