FDB33N25TM 与 SUM10250E-GE3 区别
| 型号 | FDB33N25TM | SUM10250E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDB33N25TM | A3t-SUM10250E-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 250 V 235 W 48 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 235W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 94 毫欧 @ 16.5A,10V | 31mΩ@30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 235W(Tc) | 375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 33A(Tc) | 63.5A(Tc) |
| 系列 | UniFET™ | ThunderFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2135pF @ 25V | 3002pF @ 125V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | 88nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 7.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2135pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB33N25TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
235W(Tc) 94m Ohms@16.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 33A N-Channel 250V 33A(Tc) ±30V 94 毫欧 @ 16.5A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SUM10250E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 250V 63.5A(Tc) ±20V 375W(Tc) 31mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SUM10250E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 250V 63.5A(Tc) ±20V 375W(Tc) 31mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
