FDB035N10A 与 IRLS4030TRLPBF 区别
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规格信息
型号	FDB035N10A	IRLS4030TRLPBF
唯样编号	A3t-FDB035N10A	A-IRLS4030TRLPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 100 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
数据表		IRLS4030TRLPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	333W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 毫欧 @ 75A,10V	4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	333W(Tc)	370W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±16V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	D2PAK
连续漏极电流Id	214A	180A
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
系列	PowerTrench®	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7295pF @ 25V	11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	116nC @ 10V	130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7295pF @ 25V	11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	116nC @ 10V	130nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDB035N10A	ON Semiconductor		通用MOSFET	120A(Tc) ±20V 333W(Tc) 3.5m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 214A 3.5 毫欧 @ 75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB	暂无价格	当前型号
AOB290L	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V	暂无价格	对比
PSMN3R8-100BS,118	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A	暂无价格	对比
PSMN3R8-100BS,118	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A	暂无价格	对比
IRLS4030TRLPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK	暂无价格	对比
AOB282L	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-263 N-Channel 80V 20V 105A 272.5W 3.2mΩ@10V	暂无价格	对比