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FDA33N25  与  IRFP264PBF  区别

型号 FDA33N25 IRFP264PBF
唯样编号 A3t-FDA33N25 A-IRFP264PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 250V, 33A, 94MOHM, TO-3PN Single N-Channel 250 V 0.075 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 245W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 94 毫欧 @ 16.5A,10V 75mΩ
上升时间 - 99ns
Qg-栅极电荷 - 210nC
栅极电压Vgs ±30V 2V
正向跨导 - 最小值 - 20S
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3 TO-247AC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 33A(Tc) 38A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 92ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V -
漏源极电压Vds 250V 250V
Pd-功率耗散(Max) 245W(Tc) 280W
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N-Channel -
系列 UniFET™ IRFP
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V 5400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V 210nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 22ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46.8nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDA33N25 ON Semiconductor 通用MOSFET

245W(Tc) 94m Ohms@16.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 33A N-Channel 250V 33A(Tc) ±30V 94 毫欧 @ 16.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-3PN TO-3P-3,SC-65-3

暂无价格 0 当前型号
IRFP264PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247AC 38A 280W 75mΩ 250V 2V

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IRFP264PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247AC 38A 280W 75mΩ 250V 2V

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IRFP264PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-247AC 38A 280W 75mΩ 250V 2V

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