FCH35N60 与 SIHG33N60E-GE3 区别
| 型号 | FCH35N60 | SIHG33N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FCH35N60 | A-SIHG33N60E-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 312.5W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 5.31mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 98 毫欧 @ 17.5A,10V | 98mΩ |
| 上升时间 | - | 43ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 103nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 4V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | 33A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 15.87mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 48ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6640pF | - |
| 高度 | - | 20.82mm |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 278W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 161ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 系列 | - | E |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 181nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 50 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCH35N60 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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