FCD380N60E 与 AOD11S60 区别
| 型号 | FCD380N60E | AOD11S60 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FCD380N60E | A36-AOD11S60 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 600 V 380 mO Surface Mount SuperFET II Easy Drive Mosfet -TO-252 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 1.42 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380m Ohms@5A,10V | 399mΩ@10V | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| Qgd(nC) | - | 3.8 | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V | ||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||
| 封装/外壳 | TO-252AA | TO-252 | ||
| 连续漏极电流Id | 10.2A | 11A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| Ciss(pF) | - | 545 | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 250 | ||
| Td(off)(ns) | - | 59 | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 106W(Tc) | 208W | ||
| Qrr(nC) | - | 3300 | ||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | SuperFET® II | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1770pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V | - | ||
| Coss(pF) | - | 37.3 | ||
| Qg*(nC) | - | 11* | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 45 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCD380N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.025
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1,133 | 对比 | ||||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
￥3.0294
|
45 | 对比 | ||||||
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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