CPH6444-TL-W 与 SI3476DV-T1-GE3 区别
| 型号 | CPH6444-TL-W | SI3476DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-CPH6444-TL-W | A-SI3476DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 80 V 4.6 A 93 mO 3.6 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.6W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 78 毫欧 @ 2A,10V | 105mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 3V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta),3.6W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | CPH | TSOP-6 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4.5A(Ta) | 4.6A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 505pF @ 20V | 195pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | 7.5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 505pF @ 20V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 25 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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CPH6444-TL-W | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI3476DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 4.6A 105mΩ 3V |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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SI3476DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 4.6A 105mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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