CPH6354-TL-W 与 SI3127DV-T1-GE3 区别
| 型号 | CPH6354-TL-W | SI3127DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-CPH6354-TL-W | A-SI3127DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100m Ohms@2A,10V | 89mΩ@1.5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Ta) | 2W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | CPH | TSOT-23-6 |
| 连续漏极电流Id | 4A | 13A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 1mA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 600pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 100 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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CPH6354-TL-W | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 1.6W(Ta) 100m Ohms@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 CPH P-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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SI3127DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TSOT-23-6 P-Channel 2W 89mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C ±20V 60V 13A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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