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CPH6341-TL-E  与  SI3457CDV-T1-GE3  区别

型号 CPH6341-TL-E SI3457CDV-T1-GE3
唯样编号 A3t-CPH6341-TL-E A-SI3457CDV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 74 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 59 毫欧 @ 3A,10V 74mΩ
漏源极电压Vds 30V 3V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta),3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOP-6
连续漏极电流Id 5A(Ta) 5.1A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CPH6341-TL-E ON Semiconductor 未分类

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SI3457CDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 5.1A(Tc) ±20V 2W(Ta),3W(Tc) 74mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 30V 5.1A 74mΩ 3V

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SI3457CDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 5.1A(Tc) ±20V 2W(Ta),3W(Tc) 74mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 30V 5.1A 74mΩ 3V

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