C3216X7R1H105K160AB 与 SI2304DDS-T1-GE3 区别
| 型号 | C3216X7R1H105K160AB | SI2304DDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-C3216X7R1H105K160AB | A-SI2304DDS-T1-GE3 |
| 制造商 | TDK Corporation | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | - | SI2304DDS-GE3 |
| 上升时间 | - | 12ns |
| 厚度 | 1.6mm | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 6.7nC |
| 栅极电压Vgs | - | 1.2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 11S |
| 封装/外壳 | 1206 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~125°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.6A |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 60mΩ |
| 功率耗散Pd | - | 1.7W |
| 温度系数(材质) | X7R | - |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| 容值 | 1uF | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 10ns |
| 系列 | C | SI2 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA |
| 偏差 | ±10% | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.7nC @ 10V |
| 电压 | 50V | - |
| 厚度（最大值） | 0.071"(1.80mm) | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 5ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C3216X7R1H105K160AB | TDK Corporation | 数据手册 | 贴片电容(MLCC) |
X7R 1uF ±10% 50V 1206 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 18 | 对比 |
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|
SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
VJ1206Y105KXATW1BC | Vishay | 数据手册 | 贴片电容(MLCC) |
1206 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
K104K10X7RF5TH5 | Vishay | 数据手册 | 插件电容(MLCC) |
±10% 50V 100nF X7R 径向 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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