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BAS581-02V-GS18  与  RB751S-40TE61  区别

型号 BAS581-02V-GS18 RB751S-40TE61
唯样编号 A3t-BAS581-02V-GS18 A-RB751S-40TE61
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 SBD肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 30MA EMD2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOD-523
反向漏电流Ir - 500nA
反向电压Vr - 30V
工作温度 - -40°C~125°C
反向峰值电压Vrrm - 40V
正向电压Vf - 0.37V
正向电流If - 30mA
正向浪涌电流Ifsm - 200mA
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BAS581-02V-GS18 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
RB751S-40TE61 ROHM Semiconductor  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-523 200mA 40V 30V 30mA 0.37V 500nA -40°C~125°C

暂无价格 0 对比
RB751S-40TE61 ROHM Semiconductor  数据手册 SBD肖特基二极管

SOD-523 200mA 40V 30V 30mA 0.37V 500nA -40°C~125°C

暂无价格 0 对比

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