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ATP301-TL-H  与  SUD50P10-43L-GE3  区别

型号 ATP301-TL-H SUD50P10-43L-GE3
唯样编号 A3t-ATP301-TL-H A-SUD50P10-43L-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 SUD50P10 Series 100 V 0.043 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 70W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 75 毫欧 @ 14A,10V 43mΩ
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) - 8.3W(Ta),136W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 ATPAK TO-252-2
连续漏极电流Id 28A 37.1A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 20V 4600pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V 160nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 75
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ATP301-TL-H ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SUD50P10-43L-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 8.3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252-2 P-Channel 100V 37.1A 43mΩ

暂无价格 75 对比
SUD50P10-43L-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 8.3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252-2 P-Channel 100V 37.1A 43mΩ

暂无价格 0 对比

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