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2N7002KU  与  SI1330EDL-T1-GE3  区别

型号 2N7002KU SI1330EDL-T1-GE3
唯样编号 A3t-2N7002KU-2 A3t-SI1330EDL-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SC-70,SOT-323
功率耗散Pd - 0.28W
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 240mA(Ta)
漏源极电压Vds - 60V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 3V,10V
导通电阻Rds(On) - 2.5Ω@250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 4.5V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002KU ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 0.28W 2.5Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 N-Channel 60V 240mA(Ta)

暂无价格 0 对比
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 0.28W 2.5Ω@250mA,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70,SOT-323 N-Channel 60V 240mA(Ta)

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