2N7002E 与 2N7002K-T1-GE3 区别
| 型号 | 2N7002E | 2N7002K-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-2N7002E-3 | A3t-2N7002K-T1-GE3-3 |
| 制造商 | Panasonic | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 350mW(Ta) | - |
| 宽度 | - | 1.60mm |
| Qg-栅极电荷 | - | 0.4nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 300mA(Ta) | 300mA |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3 欧姆 @ 100mA、 10V | 2Ω |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 高度 | - | 1.45mm |
| 功率耗散Pd | - | 0.35W |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | - | 2N7002K |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 30pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.6nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.8nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2N7002E | Panasonic | 数据手册 | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 33,000 | 对比 |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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