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PSMN4R5-40PS,127  与  IRLB3034PBF  区别

型号 PSMN4R5-40PS,127 IRLB3034PBF
唯样编号 A3n-PSMN4R5-40PS,127 A-IRLB3034PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
上升时间 - 827ns
Qg-栅极电荷 - 108nC
栅极电压Vgs 3V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 286S
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 343A
配置 - Single
输入电容 2683pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 355ns
导通电阻Rds(On) 4.6mΩ@10V 1.7mΩ@195A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
高度 - 15.65mm
功率耗散Pd 148W 375W
漏源极电压Vds 40V 40V
输出电容 660pF -
典型关闭延迟时间 - 97ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 65ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,000+ :  ¥7.2679
2,000+ :  ¥6.9772
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R5-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 4.6mΩ@10V 148W 175°C 3V 40V 100A

¥7.2679 

阶梯数 价格
1,000: ¥7.2679
2,000: ¥6.9772
0 当前型号
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 210A 3.6mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRL1404PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 160A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRLB3034PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C TO-220AB 40V 343A 1.7mΩ@195A,10V ±20V 375W N-Channel

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暂无价格 0 对比
IPP015N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

250W 1.5mΩ@100A,10V 40V 120A TO-220 N-Channel ±20V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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