PSMN2R4-30YLDX 与 SIJA58ADP-T1-GE3 区别
| 型号 | PSMN2R4-30YLDX | SIJA58ADP-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A3n-PSMN2R4-30YLDX | A3t-SIJA58ADP-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 106W | 5W(Ta),56.8W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 40V | ||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||
| 输出电容 | 1175pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-669 | PowerPAK® SO-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 100A | 32.3A(Ta),109A(Tc) | ||||
| 输入电容 | 2256pF | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 2.4mΩ@25A,10V | 2.65 mOhms @ 15A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 300,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-669 N-Channel 2.4mΩ@25A,10V 106W -55°C~175°C ±20V 30V 100A |
￥2.1801
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300,000 | 当前型号 | ||||||
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SIJA58ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
32.3A(Ta),109A(Tc) N-Channel 2.65 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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