PSMN034-100BS,118 与 IRF540NSTRRPBF 区别
| 型号 | PSMN034-100BS,118 | IRF540NSTRRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PSMN034-100BS,118 | A-IRF540NSTRRPBF | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK | Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC HexfetPower Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 86W | 130W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||
| 输出电容 | 94pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 32A | 33A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 输入电容 | 1201pF | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1960pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 71nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 34.5mΩ@10V | 44mΩ@16A,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1960pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 71nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PSMN034-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A |
￥4.8395
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0 | 当前型号 | ||||||
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IRFS59N10DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF540NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRL2910STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26mΩ@29A,10V N-Channel 100V 55A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AUIRF540ZSTRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 36A 26.5mΩ 20V 92W N-Channel TO-263-3 100V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FQB55N10TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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