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PSMN005-75B,118  与  IRF2805STRLPBF  区别

型号 PSMN005-75B,118 IRF2805STRLPBF
唯样编号 A3n-PSMN005-75B,118 A-IRF2805STRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 230W 200W(Tc)
漏源极电压Vds 75V 55V
输出电容 920pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 135A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 8250pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 5mΩ@10V 4.7mΩ@104A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5110pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥10.8013
1,600+ :  ¥10.3692
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN005-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 5mΩ@10V 230W 175°C 3V 75V 75A

¥10.8013 

阶梯数 价格
800: ¥10.8013
1,600: ¥10.3692
0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥20.004 

阶梯数 价格
3: ¥20.004
100: ¥17.856
878 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 135A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF2907ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 160A(Tc) ±20V 300W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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