PMV52ENER 与 PMV52ENEAR 区别
| 型号 | PMV52ENER | PMV52ENEAR | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PMV52ENER | A-PMV52ENEAR | ||||||
| 制造商 | Nexperia | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | PMV52ENE/SOT23/TO-236AB | MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.63W | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 630mW(Ta),5.7W(Tc) | - | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 100 pF @ 15 V | - | ||||||
| 输出电容 | - | 30pF | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 3.3 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT23 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.2A | ||||||
| 输入电容 | - | 100pF | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 70 毫欧 @ 3.2A,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 3.2A(Ta) | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30 V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 70mΩ@3.2A,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMV52ENER | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 -55°C~175°C(TJ) N 通道 |
￥0.665
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 70mΩ@3.2A,10V 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
￥0.613
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 70mΩ@3.2A,10V 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
￥0.9888
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 70mΩ@3.2A,10V 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
￥1.6765
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0 | 对比 | ||||||||||
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PMV52ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 70mΩ@3.2A,10V 0.63W -55°C~175°C ±20V 30V 3.2A 车规 |
￥1.6765
|
0 | 对比 |
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