PMPB33XP,115 与 RF4C100BCTCR 区别
| 型号 | PMPB33XP,115 | RF4C100BCTCR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3n-PMPB33XP,115 | A-RF4C100BCTCR | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.7W | 2W | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | -7.9A | 10A(Ta) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V | ||||||||||
| 输入电容 | 1575pF | - | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 23.5nC@4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 46mΩ@2.5V,37mΩ@4.5V | 15.6mΩ@10A,4.5V | ||||||||||
| 输出电容 | 145pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V,-0.68V | ±8V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 300,000 | 86 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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PMPB33XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 46mΩ@2.5V,37mΩ@4.5V 1.7W 150°C 12V,-0.68V -20V -7.9A |
￥0.581
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300,000 | 当前型号 | ||||||||||
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AON2405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 2x2B P-Channel -20V ±8V -8A 2.8W 32mΩ@-8A,-4.5V -55°C~150°C |
￥1.3271
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0 | 对比 | ||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 6,240 | 对比 | ||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V |
￥2.4573
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V |
￥4.6933
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86 | 对比 | ||||||||||
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RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel 15.6mΩ@10A,4.5V ±8V 2W DFN2020-8 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 23 | 对比 |
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