PMPB215ENEAX 与 RF4P060BGTCR 区别
| 型号 | PMPB215ENEAX | RF4P060BGTCR | ||||
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| 唯样编号 | A3n-PMPB215ENEAX | A3-RF4P060BGTCR | ||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6 | Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | HUML2020L8 (Single) | ||||
| 功率耗散Pd | 1.6W | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 2.8A | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 80V | - | ||||
| 输入电容 | 215pF | - | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 230mΩ@1.9A,10V | - | ||||
| 输出电容 | 25pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 3,000 | 100 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMPB215ENEAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 230mΩ@1.9A,10V 1.6W -55°C~150°C ±20V 80V 2.8A 车规 |
￥0.8666
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥2.8789
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8,890 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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