PMPB13XNE,115 与 RF4E110BNTR 区别
| 型号 | PMPB13XNE,115 | RF4E110BNTR | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PMPB13XNE,115 | A32-RF4E110BNTR-1 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.7W | 2W | ||||||||||||
| 上升时间 | - | 12ns | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 24nC | ||||||||||||
| 输出电容 | 155pF | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 2V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 43ns | ||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | DFN2020-8 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11.3A | 11A | ||||||||||||
| 系列 | - | RF4E110BN | ||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||
| 输入电容 | 2195pF | - | ||||||||||||
| 下降时间 | - | 11ns | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 16mΩ@8A,4.5V | 11.1mΩ | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 300,000 | 3,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB13XNE,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 16mΩ@8A,4.5V 1.7W -55°C~150°C ±12V 30V 11.3A |
￥0.8284
|
300,000 | 当前型号 | ||||||||||||
;;6.jpg)
|
RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8505
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
DMN3020UFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
UDFN2020-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
DMN3016LFDF-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
UDFN2020-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.3765
|
2,397 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.1mΩ 30V 2V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥1.68
|
295 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
