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PMPB07R3ENX  与  RF4E110GNTR  区别

型号 PMPB07R3ENX RF4E110GNTR
唯样编号 A3n-PMPB07R3ENX A33-RF4E110GNTR-0
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 12.5W(Tc) 2W
上升时间 - 5.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Qg-栅极电荷 - 7.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 21ns
正向跨导 - 最小值 - 6S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN2020M-6 DFN2020-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A 11A
系列 - RF4E110GN
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 3ns
典型接通延迟时间 - 9ns
导通电阻Rds(On) 8.6mΩ@12A,10V 11.3mΩ@11A,10V
库存与单价
库存 300,000 2,295
工厂交货期 7 - 14天 28 - 35天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.2794
6,000+ :  ¥1.2282
60+ :  ¥2.6927
100+ :  ¥2.2519
300+ :  ¥1.8495
500+ :  ¥1.7728
1,000+ :  ¥1.7153
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMPB07R3ENX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A

¥1.2794 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.2794
6,000: ¥1.2282
300,000 当前型号
PMPB07R3ENAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220-2

¥0.7896 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.7896
6,000: ¥0.758
300,000 对比
PMPB07R3ENAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220-2

¥1.272 

阶梯数 价格
40: ¥1.272
200: ¥0.9792
1,500: ¥0.852
3,000: ¥0.792
3,000 对比
PMPB07R3ENAX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220-2

¥2.7034 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.7034
0 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.1052 

阶梯数 价格
50: ¥1.1052
200: ¥0.8508
1,500: ¥0.7392
3,000: ¥0.6876
3,000 对比
RF4E110GNTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.6927 

阶梯数 价格
60: ¥2.6927
100: ¥2.2519
300: ¥1.8495
500: ¥1.7728
1,000: ¥1.7153
2,295 对比

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