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PMDPB85UPE,115  与  UT6JA3TCR  区别

型号 PMDPB85UPE,115 UT6JA3TCR
唯样编号 A3n-PMDPB85UPE,115 A3-UT6JA3TCR
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 0.515W 2W(Ta)
漏源极电压Vds -20V 20V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 59mOhms@5A,4.5V
输出电容 78pF -
栅极电压Vgs -0.7V,8V 1.5V@1mA
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT1118 DFN2020-8
工作温度 150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id -3.7A 5A(Ta)
输入电容 514pF -
栅极电荷Qg - 6.5nC@4.5V
导通电阻Rds(On) 146mΩ@2.5V,103mΩ@4.5V -
库存与单价
库存 108,000 50
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0209
6,000+ :  ¥0.9801
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB85UPE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1118 P-Channel 146mΩ@2.5V,103mΩ@4.5V 0.515W 150°C -0.7V,8V -20V -3.7A

¥1.0209 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0209
6,000: ¥0.9801
108,000 当前型号
AON2801 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3A 1.1W 120mΩ@-3A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 1 对比
AON2801 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 2x2 P-Channel -20V ±8V -3A 1.1W 120mΩ@-3A,-4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
UT6JA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V

¥2.4943 

阶梯数 价格
100: ¥2.4943
500: ¥2.2805
1,000: ¥2.1378
3,000: ¥1.7815
3,000 对比
UT6JA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V

¥3.3251 

阶梯数 价格
50: ¥3.3251
100: ¥2.731
300: ¥2.3286
500: ¥2.2519
1,000: ¥2.1944
1,450 对比
UT6JA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V

暂无价格 50 对比

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