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PMDPB70XP,115  与  UT6JA2TCR  区别

型号 PMDPB70XP,115 UT6JA2TCR
唯样编号 A3n-PMDPB70XP,115 A32-UT6JA2TCR-1
制造商 Nexperia ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 0.49W 2W
漏源极电压Vds -30V 30V
输出电容 54pF -
栅极电压Vgs -0.7V,12V -
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT1118 HUML2020L8
工作温度 150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -3.8A 4A
输入电容 680pF -
导通电阻Rds(On) 110mΩ@2.5V,87mΩ@4.5V 70mΩ@4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 305pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.7nC @ 10V
库存与单价
库存 12,000 3,100
工厂交货期 7 - 14天 7 - 14天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.9059
6,000+ :  ¥0.8697
100+ :  ¥2.4229
500+ :  ¥2.2805
1,000+ :  ¥2.0666
3,000+ :  ¥1.7103
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PMDPB70XP,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT1118 P-Channel 110mΩ@2.5V,87mΩ@4.5V 0.49W 150°C -0.7V,12V -30V -3.8A

¥0.9059 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.9059
6,000: ¥0.8697
12,000 当前型号
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2P-Channel 30V 4A 70mΩ@4A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) HUML2020L8

¥2.4229 

阶梯数 价格
100: ¥2.4229
500: ¥2.2805
1,000: ¥2.0666
3,000: ¥1.7103
3,100 对比
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2P-Channel 30V 4A 70mΩ@4A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) HUML2020L8

¥3.3251 

阶梯数 价格
50: ¥3.3251
100: ¥2.731
300: ¥2.3286
500: ¥2.2519
1,000: ¥2.1944
2,925 对比
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2P-Channel 30V 4A 70mΩ@4A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) HUML2020L8

暂无价格 120 对比
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2P-Channel 30V 4A 70mΩ@4A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) HUML2020L8

暂无价格 0 对比
UT6JA3TCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

5A(Ta) 2P-Channel 1.5V@1mA 2W(Ta) DFN2020-8 150°C(TJ) 20V

¥2.4943 

阶梯数 价格
100: ¥2.4943
500: ¥2.2805
1,000: ¥2.1378
3,000: ¥1.7815
3,000 对比

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