PHB33NQ20T,118 与 FDB52N20TM 区别
| 型号 | PHB33NQ20T,118 | FDB52N20TM | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3n-PHB33NQ20T,118 | A36-FDB52N20TM | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK | N-Channel 200 V 0.049 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet D2PAK-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 230W | 357W(Tc) | ||||||||||
| 功率 | - | 357W(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||||||||
| 输出电容 | 230pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK(TO-263) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 32.7A | 52A | ||||||||||
| 系列 | - | UniFET™ | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||||||||
| 输入电容 | 1870pF | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 77mΩ@15A,10V | 49 毫欧 @ 26A,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,659 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PHB33NQ20T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 77mΩ@15A,10V 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A |
￥7.132
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0 | 当前型号 | ||||||||
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FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK(TO-263) |
￥9.528
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1,659 | 对比 | |||||||||
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IRFS38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF640NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK(TO-263) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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IRFR3411PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 32A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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