PEMD9,315 与 RN4987FE,LF(CT 区别
| 型号 | PEMD9,315 | RN4987FE,LF(CT | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PEMD9,315 | A-RN4987FE,LF(CT | ||||
| 制造商 | Nexperia | Toshiba | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | 通用三极管 | ||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | - | ||||
| 功率 | - | 100mW | ||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | - | ||||
| 电阻器-发射极(R2) | - | 47 千欧 | ||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | - | ||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100mA | ||||
| 电阻器-基极(R1) | - | 10 千欧 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | ES6 | ||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50V | ||||
| VCBO | 50V | - | ||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||
| 集电极电流Ic | 100mA | - | ||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz,200MHz | ||||
| VEBO | 6V | - | ||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 80 @ 10mA,5V | ||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 500nA | ||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | - | ||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PEMD9,315 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.5975
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0 | 当前型号 | ||||||
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DDC114TH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 2NPN |
￥0.425
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2,431 | 对比 | ||||||
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DDC114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 200mW 50V 50mA 2NPN |
暂无价格 | 9 | 对比 | ||||||
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DDC114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 200mW 50V 50mA 2NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DDC114YH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW 50V 100mA 2NPN SOT-563 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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RN4987FE,LF(CT | Toshiba | 数据手册 | 通用三极管 |
ES6 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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