PDTA114ET,235 与 DTA114ECAHZGT116 区别
| 型号 | PDTA114ET,235 | DTA114ECAHZGT116 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3n-PDTA114ET,235 | A32-DTA114ECAHZGT116-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| R2 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 250mW | 200mW | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 180MHz | 250MHz | ||||||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 车规 | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -150mV | -300mV | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -50mA | ||||||||||||||
| VEBO | -10V | - | ||||||||||||||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 300,000 | 15,300 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTA114ET,235 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
¥0.1163
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300,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA PNP |
¥0.744
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967,390 | 对比 | ||||||||||||
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DTB114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA PNP |
¥0.6292
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117,089 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -50V -50mA 车规 PNP |
¥0.7126
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15,300 | 对比 | ||||||||||||
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MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
SOT-23 246mW -50V -100mA PNP |
¥0.243
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15,202 | 对比 | |||||||||||||
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DTA124EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA PNP |
暂无价格 | 15,200 | 对比 |