PBSS303PX,115 与 2SB1698T100 区别
| 型号 | PBSS303PX,115 | 2SB1698T100 | ||||||
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| 唯样编号 | A3n-PBSS303PX,115 | A33-2SB1698T100 | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | PBSS303PX Series 30 V 5.1 A SMT PNP Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2.1W | - | ||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 100nA(ICBO) | ||||||
| 功率 | - | 2W | ||||||
| 特征频率fT | 130MHz | - | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -350mV | - | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 370mV @ 50mA,1A | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | MPT | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 270 @ 100mA,2V | ||||||
| VCBO | -30V | - | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||
| 集电极电流Ic | -5.1A | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 280MHz | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 30V | ||||||
| VEBO | -5V | - | ||||||
| 尺寸 | 4.5*2.5*1.5 | - | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 1.5A | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -30V | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 612 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PBSS303PX,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 2.1W -30V -5.1A 车规 PNP |
￥1.65
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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2SAR542PT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -5A PNP |
￥4.2044
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1,600 | 对比 | ||||||||||||||
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2SAR542PFRAT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -5A 车规 PNP |
￥3.8809
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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2SAR542PFRAT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -5A 车规 PNP |
￥4.3469
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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2SAR542PT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -5A PNP |
￥1.32
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840 | 对比 | ||||||||||||||
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2SB1698T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
MPT PNP |
￥1.0243
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612 | 对比 |
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