BUK969R0-60E,118 与 IRF3205STRLPBF 区别
| 型号 | BUK969R0-60E,118 | IRF3205STRLPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-BUK969R0-60E,118 | A-IRF3205STRLPBF | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 137W | 200W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V | ||||
| 输出电容 | 305pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 75A | 110A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 输入电容 | 3263pF | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3247pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 146nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 8mΩ@20A,10V | 8mΩ@62A,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3247pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 146nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BUK969R0-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8mΩ@20A,10V 137W -55°C~175°C ±10V 60V 75A |
￥6.5698
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0 | 当前型号 | ||||||
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IRF1010NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPB054N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOB1608L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF3205STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOB2608L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 72A 100W 7.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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