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BUK768R3-60E,118  与  IRF1018ESTRLPBF  区别

型号 BUK768R3-60E,118 IRF1018ESTRLPBF
唯样编号 A3n-BUK768R3-60E,118 A-IRF1018ESTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC 110 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 137W 110W(Tc)
漏源极电压Vds 60V 60V
输出电容 319pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 79A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 2188pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 8.3mΩ@10V 8.4mΩ@47A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
库存与单价
库存 600 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥6.6652
1,600+ :  ¥6.3986
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8.3mΩ@10V 137W 175°C 3V 60V 75A

¥6.6652 

阶梯数 价格
800: ¥6.6652
1,600: ¥6.3986
600 当前型号
IRFS3607TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) D2PAK 75V 80A 7.34mΩ 20V 140W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF1018ESTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 79A 8.4mΩ 20V 110W 车规 D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1018ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A D2PAK

暂无价格 0 对比

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