BUK6D120-40EX 与 RF4G100BGTCR 区别
| 型号 | BUK6D120-40EX | RF4G100BGTCR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3n-BUK6D120-40EX | A32-RF4G100BGTCR-1 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN | Nch 40V 10A, HUML2020L8, Power MOSFET | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | HUML2020L8 (Single) | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 7.5W | - | ||||||||||||
| 工作温度 | 175°C | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.7A | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||||||||||
| 输入电容 | 113pF | - | ||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 120mΩ@10V,160mΩ@4.5V | - | ||||||||||||
| 输出电容 | 27pF | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.6V,20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 9,000 | 3,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BUK6D120-40EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 120mΩ@10V,160mΩ@4.5V 7.5W 175°C 1.6V,20V 40V 5.7A 车规 |
￥0.7617
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9,000 | 当前型号 | ||||||||||
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RF4G100BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
￥2.8505
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RF4G100BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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RF4G100BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 35 | 对比 | ||||||||||
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RF4G100BGTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HUML2020L8 (Single) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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