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ZXMS6006DGTA  与  NTF3055-100T1G  区别

型号 ZXMS6006DGTA NTF3055-100T1G
唯样编号 A36-ZXMS6006DGTA A36-NTF3055-100T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 455pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 2,050 646
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥4.477
100+ :  ¥3.575
1,000+ :  ¥3.432
20+ :  ¥2.607
50+ :  ¥2.013
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMS6006DGTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥4.477 

阶梯数 价格
20: ¥4.477
100: ¥3.575
1,000: ¥3.432
2,050 当前型号
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C ~ 150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V

¥1.925 

阶梯数 价格
30: ¥1.925
100: ¥1.54
1,000: ¥1.375
2,000: ¥1.298
4,000: ¥1.232
8,491 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,000: ¥0.9779
2,000: ¥0.8888
4,000: ¥0.825
4,942 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
ZXMS6006SGTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥4.29 

阶梯数 价格
20: ¥4.29
100: ¥3.432
655 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
50: ¥2.013
646 对比

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