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ZXMP6A18KTC  与  IRFR5305PBF  区别

型号 ZXMP6A18KTC IRFR5305PBF
唯样编号 A36-ZXMP6A18KTC A32-IRFR5305PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 Single P-Channel 55 V 89 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.5A,10V 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.15W(Ta) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.4A 31A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 5,000 1
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
20+ :  ¥3.223
100+ :  ¥2.486
1,250+ :  ¥2.167
2,500+ :  ¥2.035
1+ :  ¥0.4584
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.486
1,250: ¥2.167
2,500: ¥2.035
5,000 当前型号
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.871 

阶梯数 价格
20: ¥2.871
100: ¥2.211
1,000: ¥1.925
2,000: ¥1.815
5,970 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 4,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥7.6564 

阶梯数 价格
20: ¥7.6564
50: ¥5.8836
100: ¥5.2991
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.82
1,784 对比
IRFR5305PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥0.4584 

阶梯数 价格
1: ¥0.4584
1 对比
IRFR5305PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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