ZXMP6A17KTC 与 TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | ZXMP6A17KTC | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMP6A17KTC | A36-TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 27W(Tc) | ||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60 V | ||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 104 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 890 pF @ 10 V | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 19 nC @ 10 V | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK+ | ||||||||||
| 工作温度 | - | 175°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A(Ta) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +10V,-20V | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 6,736 | 99 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
￥2.3868
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6,736 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.572
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19,148 | 对比 | ||||||||||
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥7.092
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99 | 对比 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||
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AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥2.256
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0 | 对比 | ||||||||||
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SPD18P06P G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 18.6A 130mΩ 10V 80W P-Channel -55°C~175°C PG-TO252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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