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ZXMP6A16KTC  与  SPD30P06PGBTMA1  区别

型号 ZXMP6A16KTC SPD30P06PGBTMA1
唯样编号 A36-ZXMP6A16KTC A-SPD30P06PGBTMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.11W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 85mΩ@2.9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1021 pF @ 30 V 1535pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 24.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.4A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1.7mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 75 毫欧 @ 21.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 4,603 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.542
100+ :  ¥2.959
1,250+ :  ¥2.684
2,500+ :  ¥2.486
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A16KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,500: ¥2.486
4,603 当前型号
SPD30P06PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD30P06P G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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