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ZXMP6A13GTA  与  BSP170PE6327T  区别

型号 ZXMP6A13GTA BSP170PE6327T
唯样编号 A36-ZXMP6A13GTA A-BSP170PE6327T
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 ZXMP6A13G Series 60 V 390 mOhm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@900mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 410pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 219pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 300 毫欧 @ 1.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.9A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 537 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.167
50+ :  ¥1.661
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
50: ¥1.661
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±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA

¥2.024 

阶梯数 价格
30: ¥2.024
100: ¥1.628
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BSP170PE6327T Infineon  数据手册 小信号MOSFET

P 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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