首页 > 商品目录 > > > > ZXMP3A16DN8TA代替型号比较

ZXMP3A16DN8TA  与  IRF7316TRPBF  区别

型号 ZXMP3A16DN8TA IRF7316TRPBF
唯样编号 A36-ZXMP3A16DN8TA A-IRF7316TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 58mΩ@4.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1022pF @ 15V -
FET类型 2P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 29.6nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.9A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 710pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 710pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
库存与单价
库存 398 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.235
50+ :  ¥3.388
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel 1.8W 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 4.2A

¥4.235 

阶梯数 价格
20: ¥4.235
50: ¥3.388
398 当前型号
AO4803A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 46mΩ@-5A,-10V -55℃~150℃

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8437
1,500: ¥0.7337
3,000: ¥0.638
5,958 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7316TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@4.9A,10V 2W P-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7316PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

58mΩ@4.9A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 4.9A 8-SO

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售