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ZXMN6A11ZTA  与  2SK3065T100  区别

型号 ZXMN6A11ZTA 2SK3065T100
唯样编号 A36-ZXMN6A11ZTA A3-2SK3065T100
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89 Single N-Channel 500 mW 60 V 0.45 Ohm Surface Mount MosFet - SC-62
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V 320mΩ@ 1A,4V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 500mW(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 2.5V,4V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET 类型 - N 通道
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-89 TO-243AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF @ 10V
库存与单价
库存 1,620 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.167
50+ :  ¥1.661
1,000+ :  ¥1.54
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A11ZTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.5W(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-89 N-Channel 60V 3.6A

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
50: ¥1.661
1,000: ¥1.54
1,620 当前型号
2SK3065T100 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

60V 2A(Ta) 320mΩ@ 1A,4V ±20V 500mW(Ta) 150°C(TJ) TO-243AA

¥0.7524 

阶梯数 价格
70: ¥0.7524
795 对比
2SK3065T100 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

60V 2A(Ta) 320mΩ@ 1A,4V ±20V 500mW(Ta) 150°C(TJ) TO-243AA

暂无价格 0 对比
2SK3065T100 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

60V 2A(Ta) 320mΩ@ 1A,4V ±20V 500mW(Ta) 150°C(TJ) TO-243AA

暂无价格 0 对比

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