ZXMN6A11DN8TA 与 IRF7103PBF 区别
| 型号 | ZXMN6A11DN8TA | IRF7103PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXMN6A11DN8TA | A-IRF7103PBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC | Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 130mΩ@3A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 50V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W | 2W | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@2.5A,10V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 330pF @ 40V | - | ||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 5.7nC @ 10V | - | ||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 2.5A | 3A | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 285 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMN6A11DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 2.5A |
￥2.783
|
285 | 当前型号 | ||||||
|
IRF7103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 130mΩ@3A,10V 2W N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRF7103PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
130mΩ@3A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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