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ZXMN6A09GTA  与  IRLL024ZPBF  区别

型号 ZXMN6A09GTA IRLL024ZPBF
唯样编号 A36-ZXMN6A09GTA A-IRLL024ZPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN6A09G Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 Single N-Channel 55 V 2.8 W 11 nC Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@8.2A,10V 60mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.5A 5A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1407pF @ 40V 380pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24.2nC @ 5V 11nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 380pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC
库存与单价
库存 8,944 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.718
100+ :  ¥2.97
1,000+ :  ¥2.75
暂无价格
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