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ZXMN3B04N8TA  与  IRF7807  区别

型号 ZXMN3B04N8TA IRF7807
唯样编号 A36-ZXMN3B04N8TA A-IRF7807
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@7A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mΩ@7.2A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2480 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 23.1 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 8-SO SO8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.2A(Ta) 8.3A(Ta)
驱动电压 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.2A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
IRF7201TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 30mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 7.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7807V Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 25mΩ N-Channel 20V 6.6A

暂无价格 0 对比
IRF7807 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 8.3A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 25mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7807TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 25mΩ@7A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7807A Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 8.3A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 25mΩ@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比

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