首页 > 商品目录 > > > > ZXMN3A01FTA代替型号比较

ZXMN3A01FTA  与  FDN335N  区别

型号 ZXMN3A01FTA FDN335N
唯样编号 A36-ZXMN3A01FTA A36-FDN335N-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 625mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 1,600 1,135
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.441
100+ :  ¥1.111
750+ :  ¥0.9262
1,500+ :  ¥0.8415
40+ :  ¥1.518
100+ :  ¥1.166
750+ :  ¥0.9735
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
750: ¥0.9262
1,500: ¥0.8415
1,600 当前型号
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

¥1.518 

阶梯数 价格
40: ¥1.518
100: ¥1.166
750: ¥0.9735
1,135 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 2 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23 N-Channel 0.83W 150℃ 1.5V,20V 30V 1.9A

暂无价格 2 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 0 对比
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售