ZXMN3A01FTA 与 FDN335N 区别
| 型号 | ZXMN3A01FTA | FDN335N | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXMN3A01FTA | A3-FDN335N-2 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@2.5A,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 625mW(Ta) | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2A | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 190pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥1.43
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.935
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4,361 | 对比 | ||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 76 | 对比 | ||||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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