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ZXMN2A14FTA  与  RUR040N02TL  区别

型号 ZXMN2A14FTA RUR040N02TL
唯样编号 A36-ZXMN2A14FTA A3x-RUR040N02TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.4A,4.5V 35mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A 4A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 544pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 1.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 809 15,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.309
750+ :  ¥1.166
3,000+ :  ¥0.88
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.309
750: ¥1.166
809 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
14,693 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
2,356 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.217
533 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.3846 

阶梯数 价格
1: ¥0.3846
100: ¥0.3061
1,000: ¥0.2206
1,500: ¥0.1899
3,000: ¥0.15
476 对比

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