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ZXMN2A01E6TA  与  IRLMS1902TRPBF  区别

型号 ZXMN2A01E6TA IRLMS1902TRPBF
唯样编号 A36-ZXMN2A01E6TA A-IRLMS1902TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@2.2A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 1.7W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 120mΩ@4A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 303 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-6 Micro6™(TSOP-6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 3.2A
系列 - HEXFET®
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 996 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.727
100+ :  ¥1.375
750+ :  ¥1.232
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±12V SOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 20V 2.5A(Ta)

¥1.727 

阶梯数 价格
30: ¥1.727
100: ¥1.375
750: ¥1.232
996 当前型号
IRLMS1902TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.2A,4.5V N-Channel 20V 3.2A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比

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