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ZXMD63N03XTA  与  IRF7503TRPBF  区别

型号 ZXMD63N03XTA IRF7503TRPBF
唯样编号 A36-ZXMD63N03XTA A-IRF7503TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP Double HexFet 30 V 1.25 W 12 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 135mΩ@1.7A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.04W 1.25W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 135mΩ@1.7A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 25V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
封装/外壳 8-MSOP Micro8™
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A 2.4A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
库存与单价
库存 686 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.551
50+ :  ¥1.188
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.04W 8-MSOP -55℃~150℃(TJ) 30V 2.3A

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
50: ¥1.188
686 当前型号
IRF7503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,10V 1.25W N-Channel 30V 2.4A Micro8™

暂无价格 0 对比

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