ZXM62P02E6TA 与 IRLMS6702TRPBF 区别
| 型号 | ZXM62P02E6TA | IRLMS6702TRPBF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXM62P02E6TA | A-IRLMS6702TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6 | Single P-Channel 20 V 0.375 Ohm 8.8 nC 1.7 W Generation V SMT Mosfet - MICRO-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 200mΩ@1.6A,4.5V | 200mΩ@1.6A,4.5V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta) | 1.7W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro6™(TSOP-6) | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.3A | 2.4A | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 320pF @ 15V | 210pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.8nC @ 4.5V | 8.8nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 700mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 210pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.8nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
￥2.029
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO6415 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -20V 12V -3.3A 1.25W 82mΩ@10V |
￥1.0256
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLMS6702TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,4.5V P-Channel 20V 2.4A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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